GMI官网：存储芯片“接单接到手软”：封测报价暴涨三成，行业酝酿第二轮涨价

“订单真的太满！”在存储封测厂里，这句话成了最真实的写照。产能利用率逼近100%，部分厂商仅能满足老客户八成需求。

2026年开年，半导体行业的热浪从芯片制造端迅速蔓延至产业链下游。存储芯片封装测试厂商订单爆满，产能利用率直逼满载，迫使他们近期集体上调报价，涨幅普遍达到30% 。

这股涨价风潮并非孤立现象。同一时间，上游存储芯片价格已经率先飙升。行业数据显示，2026年第一季度通用型DRAM合约价格预计环比上涨55%至60%，NAND闪存价格涨幅也在33%至38% 之间。

在产能极度紧张的情况下，力成、华东、南茂等主要封测厂已不满足于当前涨价。他们正酝酿启动 第二轮涨价 ，这意味着存储产业链的涨价浪潮正在从上游核心芯片向下游封测环节全面传导。

01 封测涨价潮起

随着DRAM与NAND Flash两大主流存储芯片出货量猛增，下游封测厂的订单如潮水般涌来。力成、华东、南茂等主要存储封测厂的产能利用率已逼近满载。

尽管封测厂商对涨价细节保持低调，仅表示报价会按市场需求“弹性调整”，但业内共识明确——价格调整势在必行。

已有厂商接单压力巨大，南茂目前仅能满足既有客户订单约八成。在巨大需求压力下，公司正积极向外采购测试与封装设备，以提升产能应对订单爆量。

存储芯片本身的价格涨势更为惊人。根据Counterpoint Research的数据，预计2026年第一季度存储芯片价格还将再涨40%-50%，第二季度预计再上涨约20% 。

存储市场已进入“超级牛市”阶段，当前行情甚至超越了2018年的历史高点。供应商议价能力已达到历史最高水平。

一些资深存储产业高管直言：“这是我从事存储行业以来见过的最猛一次涨价。”市场焦虑性扫货心态进一步助推了价格上涨。

这轮存储涨价周期与以往有着本质不同，其核心驱动力从消费电子转向人工智能，特别是AI数据中心的需求爆发。

AI服务器对高带宽内存(HBM)的需求呈爆炸式增长。三星、SK海力士、美光等存储巨头将大量资源集中到先进制程与先进封装上，同步排挤了标准型DRAM与NAND芯片的产能。

AI数据中心对存储芯片需求的弹性远高于传统消费电子。单台AI服务器需要搭载的HBM数量激增，同时随着AI应用步入“推理期”，RAG技术引爆了大容量企业级SSD需求。

当前存储芯片的结构性短缺尤为明显。高端HBM生产工艺复杂，生产1GB HBM消耗的晶圆产能是DDR5的3倍，直接导致常规DRAM产能被大幅挤压。

三大存储巨头虽然资本开支维持高位，但重心全面转向HBM及先进制程迁移，而非单纯扩大晶圆投片量。

三星明确表示不会快速扩建生产设施，而是通过优化资本支出策略，平衡客户需求与市场价格，以此降低供过于求的风险。

面对产能短缺，存储产业链已启动扩产计划。A股上市公司通富微电于1月9日公告，拟定向增发募资不超过44亿元，主要用于存储芯片封测产能提升等项目。

国内多家封测公司表示，2025年第四季度需求旺盛，产能利用率得到明显提升。长电科技表示国内工厂的高产能利用率预计将持续一段时间。

行业分析师指出，本轮由AI驱动的存储超级大周期持续性很强，将带动国内存储相关半导体设备、半导体材料公司同步受益。

在AI驱动的存储超级周期下，中国大陆产业链迎来重要发展机遇。长鑫存储、长江存储等国内厂商正进入深度扩产期，为国产设备材料企业提供了验证和成长的机会。

上游设备厂商正从“单机可用”向“整线主力”跨越，市场份额有望在存储扩产潮中持续提升。北方华创作为刻蚀机龙头，在长鑫存储设备采购中占比高达45% 。

下游模组企业则受益于低价库存的毛利率修复以及信创市场的国产化替代。AI时代，模组厂正逐步进化为拥有主控算法和交付保障能力的“解决方案商”。

据行业资深人士判断，存储的涨价周期至少可以持续到2026年底。AI需求至少把传统的三年周期拉长了一年，成为本轮上涨的持久动力。

TrendForce预测，2026年对DRAM的需求将同比增长26%，比2025年DRAM供应的20%增长将有显著缺口。预计2026年整体DRAM平均单价将同比上涨58% 。

不过，行业人士也提醒，涨价周期不会一直线性持续，因为价格太高会抑制需求。目前电脑、手机等终端产品因存储涨价，成本压力大增，已经开始提价。

当AI成为存储行业新引擎，传统周期规律正在被改写。芯片从产线到终端的每一个环节都卷入这轮涨价浪潮，全球科技产业链经历着一场由算力需求引发的系统性资源重配。

行业共识已然形成——这股涨价潮尚未达峰值，更多产业链环节或将跟随涨价。